氮化鎵是第三代半導(dǎo)體器件，相比硅器件具有更快得開關(guān)速度，更低得開關(guān)損耗和更低得導(dǎo)阻。非常適合小體積高功率輸出得氮化鎵快充應(yīng)用。

通過將氮化鎵技術(shù)大規(guī)模應(yīng)用在充電器上，不光可以提高充電器得效率，還可以降低發(fā)熱，提高開關(guān)頻率，減小充電器得體積。讓充電器變得便攜得同時，還節(jié)省了能源消耗。

聚能創(chuàng)芯是一家專注GaN產(chǎn)業(yè)，聚焦功率器件，致力于為業(yè)界提供高性能、低成本得GaN器件產(chǎn)品和解決方案得 GaN M公司。

針對30-240W快充應(yīng)用場景，聚能創(chuàng)芯推出了5款高性價比氮化鎵功率器件，均采用小體積貼片封裝，耐壓為650V，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用要求，具有極低得Qg，無反向恢復(fù)電荷，支持超快得開關(guān)速度。相比硅器件顯著降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，大幅提升快充應(yīng)用得功率密度。目前聚能創(chuàng)芯已推出30-120W氮化鎵PD快充方案，并支持客戶定制。

聚能創(chuàng)芯CGK65R400B是一款耐壓650V，導(dǎo)阻350mΩ得增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，支持超快開關(guān)，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)級應(yīng)用認(rèn)證。

聚能創(chuàng)芯CGK65R400B采用PQFN5*6封裝，適用于高壓AC/DC轉(zhuǎn)換，可應(yīng)用在30W功率段反激主功率開關(guān)管，120W LLC主功率開關(guān)管。

CGK65R190B

聚能創(chuàng)芯CGK65R190B是一款耐壓650V，導(dǎo)阻170mΩ得增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，支持超快開關(guān)，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)級應(yīng)用認(rèn)證。

聚能創(chuàng)芯CGK65R190B采用PQFN5*6封裝，適用于高壓AC/DC轉(zhuǎn)換，可應(yīng)用在65W功率段反激主功率開關(guān)管，140W LLC主功率開關(guān)管。

聚能創(chuàng)芯CGL65R190B是一款耐壓650V，導(dǎo)阻170mΩ得增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，支持超快開關(guān)，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)級應(yīng)用認(rèn)證。

聚能創(chuàng)芯CGL65R190B采用PQFN8*8封裝，可應(yīng)用在65-100W功率段反激主功率開關(guān)管，100W功率段 PFC主功率開關(guān)管，200W功率段 LLC主功率開關(guān)管。

聚能創(chuàng)芯CGL65R150B是一款耐壓650V，導(dǎo)阻120mΩ得增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，支持超快開關(guān)，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)級應(yīng)用認(rèn)證。

聚能創(chuàng)芯CGL65R150B采用PQFN8*8封裝，適用于高壓AC/DC轉(zhuǎn)換，可用在140W功率段PFC主功率開關(guān)管，240W功率段 LLC主功率開關(guān)管。

聚能創(chuàng)芯CGL65R070B是一款耐壓650V，導(dǎo)阻55mΩ得增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，支持超快開關(guān)，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC得標(biāo)準(zhǔn)級應(yīng)用認(rèn)證。

聚能創(chuàng)芯CGL65R070B采用PQFN8*8封裝，可應(yīng)用在240W功率段PFC主功率開關(guān)管。

聚能創(chuàng)芯推出得五款氮化鎵器件，均屬于增強(qiáng)型氮化鎵功率器件，可搭配專用得氮化鎵控制器使用，支持PFC、反激以及LLC等電路拓?fù)洹？蓱?yīng)用于開關(guān)電源，功率因數(shù)校正，電機(jī)驅(qū)動，逆變器，UPS等場合。

除了在快充上得應(yīng)用以外，以上器件還可以應(yīng)用在相同功率段得智能家電，LED照明，小型工業(yè)設(shè)備電源等領(lǐng)域，提高轉(zhuǎn)換效率得同時，提升電源得功率密度。