絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降得優(yōu)點(diǎn)。大功率IGBT器件有焊接與壓接兩種封裝形式。

焊接型IGBT器件通過鍵合線使內(nèi)部芯片與外部電極形成電氣連接，其生產(chǎn)成本較低，是目前應(yīng)用蕞廣泛得IGBT器件，但因其存在功率密度不足、焊料層脫落、鍵合線斷裂、單面散熱等問題，難以滿足高功率等級(jí)得需求。

壓接型IGBT器件通過施加壓力，使內(nèi)部芯片與外部電極形成電氣連接，可實(shí)現(xiàn)多芯片并聯(lián)壓接封裝。相比焊接型IGBT器件，壓接型IGBT器件易于規(guī)模化芯片并聯(lián)封裝、串聯(lián)使用，且具有低熱阻、雙面散熱、失效短路等優(yōu)點(diǎn)。

壓接型IGBT器件根據(jù)內(nèi)部芯片數(shù)量可分為壓接單芯片器件與壓接多芯片器件，分別如圖1a、圖1b所示，根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)主要可分為剛性壓接器件與彈性壓接器件，分別如圖1b、圖1c所示。

圖1 壓接型IGBT器件封裝類型

剛性壓接器件主要由WESTCODE、TOSHIBA等公司生產(chǎn)，國內(nèi)中車時(shí)代電氣、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院等企業(yè)也開展了自主設(shè)計(jì)與制造，其主要結(jié)構(gòu)由集電極銅板、集電極鉬片、IGBT芯片、發(fā)射極鉬片、銀墊片、門極頂針、支架、門極PCB、凸臺(tái)、發(fā)射極銅板和外殼構(gòu)成。

其中鉬片作為緩沖層以減小熱應(yīng)力對(duì)芯片得沖擊，門極頂針連接芯片門極區(qū)和門極PCB以傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，銀墊片用于緩解芯片間壓力分配不均問題，集電極與發(fā)射極銅板外表面均可安裝散熱裝置實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

器件工作時(shí)需要通過夾具施加一定壓力以減小接觸電阻與接觸熱阻，進(jìn)而保證各層封裝材料間得良好接觸。同時(shí)，為了使多芯片間電-熱-力分布均勻，需要對(duì)內(nèi)部各種封裝材料進(jìn)行精準(zhǔn)匹配，構(gòu)件進(jìn)行精密加工，因此剛性壓接器件普遍對(duì)工藝精度要求較高。

彈性壓接器件主要由ABB公司生產(chǎn)，其通過引入碟簧來補(bǔ)償加壓過程中得壓力不足并吸收材料熱膨脹過程中得過應(yīng)力，主要結(jié)構(gòu)由發(fā)射極墊片、碟簧、銀/鋁墊片、鉬片、焊有芯片得集電極板、門極引線板和銅蓋板構(gòu)成。

相比剛性壓接器件，彈性壓接器件降低了工藝精度要求，制造成本較低，同時(shí)保證了芯片表面壓力均勻性，但芯片與集電極板通過焊料連接，在長期功率循環(huán)過程中存在焊料層脫落失效問題，且碟簧結(jié)構(gòu)得引入導(dǎo)致其散熱模式為單面散熱，限制了其在更高功率場合得應(yīng)用。

新型壓接型IGBT器件封裝類型如圖2所示。為提高壓接器件中芯片與集電極鉬層之間得電熱接觸性能進(jìn)而提升器件整體性能，天津大學(xué)梅云輝等提出了納米銀燒結(jié)壓接器件，如圖2a所示，該封裝結(jié)構(gòu)采用納米銀焊膏將剛性壓接器件中集電極鉬片與IGBT芯片通過燒結(jié)工藝連接成整體，進(jìn)而降低了接觸熱阻與接觸電阻。

測試結(jié)果表明，納米銀燒結(jié)壓接器件與剛性壓接器件性能一致，但結(jié)殼熱阻降低15.8%。同時(shí)，納米銀燒結(jié)封裝結(jié)構(gòu)提升了IGBT芯片表面壓力分布均勻性，有利于提高器件整體電-熱性能及可靠性。

圖2 新型壓接型IGBT器件封裝類型

2019年，DYNEX公司提出了一種銀燒結(jié)-剛性- 彈性壓接相結(jié)合得混合壓接封裝器件，如圖2b所示。在該封裝結(jié)構(gòu)中，采用碟簧取代剛性壓接封裝結(jié)構(gòu)中得凸臺(tái)，并利用納米銀焊膏將IGBT芯片與集電極鉬片、發(fā)射極鉬片連接成整體。該結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步提升IGBT芯片表面壓力分布均勻性，但存在單面散熱能力較差得問題。

歸納總結(jié)上述四種壓接封裝結(jié)構(gòu)性能及特點(diǎn)，見表1。

表1 壓接型IGBT器件封裝類型對(duì)比

感謝編自2021年第12期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》，論文標(biāo)題為“壓接型IGBT器件封裝退化監(jiān)測方法綜述”，為李輝、劉人寬 等。