近日，西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授在柔性高性能GaN半導體外延材料與器件制備技術方面得研究取得了突破性進展，其研究成果分別發表在《Small》《ACS Applied Materials & Interfaces》和《ACS Applied Nano Materials》等高水平期刊，并在《Small》及《ACS Applied Nano Materials》期刊上作為封面文章被突出介紹。
《Small》《ACS Applied Nano Materials》封面文章
柔性電子是指經扭曲、折疊、拉伸等形狀變化后仍保持原有性能得電子系統，可用作可穿戴設備、電子皮膚、柔性顯示屏等，具有重大應用前景，被阿里巴巴達摩院列為2021十大科技趨勢之一。柔性電子發展得主要瓶頸在于材料，然而當前得柔性材料或者由于“柔性”不足容易失效，或者電性能上不如“剛性”半導體。目前主要采用得柔性電子材料主要是有機材料、二維材料等。如何使傳統半導體如第三代半導體氮化鎵具備柔性同時保持高性能，是當前國際前沿熱點問題。
針對以上難題，郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授通過對二維材料基底上氮化鎵薄膜得范德華外延生長技術開展深入研究，提出磁控濺射氮化鋁/石墨烯復合基底以及氧等離子幫助圖形化等新型生長方法，產出了高質量大面積得柔性氮化鎵半導體薄膜制備、高亮度柔性氮化鎵發光二極管以及柔性自變壓單片集成信息傳輸系統等系列創新成果。
柔性自變壓單片集成信息傳輸系統
柔性氮化鎵外延材料生長機理與方法
論文信息：
(1)Yanqing Jia, Haibin Guo, Jing Ning *, Jincheng Zhang *, Dong Wang, Boyu Wang, Haidi Wu, Xue Shen, Chi Zhang, Yue Hao, Flexible high-stability self-variable-voltage monolithic integrated system achieved by high-brightness LED for information transmission, Small, 2021, DOI:10.1002/smll.202105207
(2)Yanqing Jia, Jing Ning*, Jincheng Zhang*, Boyu Wang, Chaochao Yan, Yu Zeng, Haidi Wu, Yachao Zhang, Xue Shen, Chi Zhang, Haibin Guo, Dong Wang, Yue Hao, High-Quality Transferred GaN-based Light-Emitting Diodes through Oxygen-Assisted Plasma Patterning of Graphene, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021,13(27)
(3)Jing Ning*, Chaochao Yan, Yanqing Jia, Boyu Wang, Haibin Guo, Jincheng Zhang, Dong Wang, Yu Zeng, Yue Hao, GaN Films Deposited on Sapphire Substates Sputter-Coated with AlN Followed by Monolayer Graphene for Solid-State Lighting, ACS Applied Nano Materials, 上年, 3, 6, 5061–5069
（近日：西電新聞網 通訊員：程珺 廉姝潔）
